EPI工艺气体传输控制柜

随着半导体技术的不断发展,硅外延工艺也在不断优化和创新。未来,硅外延工艺可能会朝着更高的纯度、更大的晶体尺寸、更低的缺陷密度等方向发展,以满足高性能半导体器件的制造需求。硅外延作为一种关键的半导体制造工艺,对于提高半导体器件的性能和可靠性具有重要意义。硅外延工艺气体传输控制柜是半导体制造中不可或缺的设备之一,它通过精确控制气体的流量、压力和纯度,为外延生长提供稳定的气体环境,从而确保外延层的高质量、均匀性。

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EPI工艺气体传输控制柜
EPI工艺气体传输控制柜
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EPI工艺气体传输控制柜
  • 产品特点
  • 产品参数
  • 质量管理

产品特点

高精度流量控制

高精度流量控制

通过精确的阀门系统、流量控制器、压力控制器,实现对特种气体的精确传输和控制

确保气体流量、压力等参数的稳定性

安全稳定性

安全稳定性

气柜配有门互锁开关、压力安全开关、单向阀、火焰报警器等安全部件保证气柜安全

设备采用防爆、防腐等设计,提高了设备的安全性能

高气密性

高气密性

产品采用IGS和VCR接口形式实现半导体设备的高气密性

高洁净度

高洁净度

采用高精度过滤器能够去除3nm以上的颗粒杂质

安全认证

安全认证

通过SEMI S6测试安全认证

产品参数

外漏测试漏率 ≤1.0X10-11/mbar·L/s
内漏测试漏率 ≤1.0X10-9/mbar·L/s
保压测试50psi 氮气保压测试, 保压12h,压降 ≤1%
氦爆测试漏率 ≤1.0X10-9/mbar·L/s;(可选)
颗粒测试 (5 particle @ >0.1um)
水氧测试 水含量≤10PPB,氧含量≤10PPB;(可选)

质量管理

富创质量管理秉承"好的质量是设计、制造出来的"为原则,关注客户端到端的质量服务,从研发、设计、过程全生命周期质量管理关注各环节中入口质量、过程质量、出口质量,以保证整体质量可控,最终构建成以以预防为主的质量文化,助力客户产品更具竞争力。

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